34 nm sans lithographie : ils l’ont fait !

À partir d’un copolymère dibloc PMMA/polystyrène, une équipe du Léti a obtenu grâce à un processus sans lithographie des masques de polystyrène en couche mince (30 à 70 nm) à motifs pseudo périodiques de 34 nm de période. À ce jour, la qualité et la régularité des motifs ne satisfont pas au cahier des charges de la microélectronique mais répondent aux exigences d’applications en optronique : plasmonique, texturation de surface de dispositifs photovoltaïques, positionnement de nano-objets…

Le processus provoque la formation de précipités colonnaires de PMMA dispersés de façon régulière, parallèles ou perpendiculaires au plan, qu’il suffit ensuite d’éliminer. L’équipe cherche maintenant à faire de cette avancée une brique de base dans la réalisation de dispositifs ; elle espère par ailleurs descendre autour de 20 nm.

Contact : jean.arroyo@cea.fr

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