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Des chercheurs d’INAC ont réalisé autour d’un unique nanofil de silicium, de diamètre 40 nanomètres, un dispositif utilisable comme transistor à effet de champ, comme diode Schottky ou comme diode p-n selon sa polarisation. Cette polyvalence s’explique par la configuration du système : le nanofil semi-conducteur est placé entre deux grilles électrostatiques et au contact […] >>

Comment miniaturiser encore les mémoires DRAM, dont l’élément le plus encombrant est la capacité de stockage ? En supprimant cette capacité, tout simplement… C’est le concept, tout à fait révolutionnaire, de la mémoire MSDRAM : elle utilise le corps du transistor, et plus précisément le couplage dynamique entre ses deux grilles, pour stocker la charge. […] >>

Des cellules photovoltaïques à faible rendement (6 %), mais quatre fois moins chères que celles en silicium : c’est ce que vise le projet ANR Asyscol sur les cellules à colorants auquel participent le LMGP et le LTM. L’objectif est d’améliorer ces cellules grâce à une approche systémique, en combinant au mieux leurs trois matériaux […] >>

Les signaux optiques vont très vite. Mais l’obligation de les traduire en signaux électriques pour les fonctions de routage leur impose un sévère coup de frein et limite fortement les débits. C’est ce qui fait l’intérêt de la porte logique « tout photonique » que le Léti vient de réaliser avec trois universités européennes : […] >>

Des chercheurs du Léti et du LTM-CNRS ont transféré fin 2008 à STMicroelectronics Crolles un procédé plasma qui résout un problème lié à la technologie 45 nm de l’industriel. Ce dernier utilise des masques durs en nitrure de titane pour protéger les diélectriques poreux lors des étapes de gravure. Mais l’utilisation du nitrure de titane […] >>