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Le nitrure de gallium (GaN) est un sérieux concurrent du silicium pour les transistors de puissance, capables de commuter des centaines de volts. Mais il employait jusqu’ici des technologies de fabrication trop coûteuses. Le CEA-Leti s’apprête à lever cet obstacle avec le transistor 650 V normalement ouvert réalisé récemment. Il a été fabriqué sur tranche […] >>

Utiliser des feuilles de plastique PMMA par rouleaux de plus de 100 mètres de long, en les fonctionnalisant par greffage de molécules biologiques… C’est possible avec le procédé transféré récemment par le CEA-Leti au Fraunhofer dans le cadre du projet européen ML2. Le plastique est modifié en surface par un plasma d’oxygène. Puis les sondes […] >>

La technologie M&NEMS du CEA-Leti n’en finit pas de dévoiler ses richesses. Elle a donné naissance à un capteur de pression aussi précis que les meilleurs capteurs capacitifs, et plus performant pour la linéarité et l’insensibilité aux capacités parasites. Ce capteur peut être associé sur une puce unique à des accéléromètres, des gyromètres et des […] >>

On considère habituellement qu’un cristal atteint sa conductivité thermique la plus basse sous sa forme amorphe. Une équipe INAC – LiPhy* vient de montrer par simulation numérique que cette conductivité pouvait encore être divisée par 2 voire par 3. Ceci en organisant ce cristal en « super-réseau », autrement dit en empilement ordonné de multicouches […] >>

Avec la thèse soutenue en octobre par l’un de ses doctorants, le CEA-Leti a repoussé l’état de l’art des liens photoniques sur puce. Ces liens pourraient atteindre ces prochaines années 10 voire 15 Gbps, pour une consommation inférieure à 1 picojoule par bit. Ces travaux ont donné lieu depuis deux ans à 3 brevets et […] >>