Actualités : Industrie

04 juin 2010

Implants : des films pour doper la régénération osseuse

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La mise au point par le LMGP de films nanométriques capables de stocker un facteur de croissance ostéo-inducteur pourrait accroître les chances de réussite lors de la pose d’un biomatériau orthopédique (fracture, fusion de vertèbres…). Ces films biopolymériques, des multicouches de 100 nm à plusieurs microns d’épaisseur, sont déposés sur l’implant. Ils miment les matrices […] >>

14 avril 2010

CAO 3 D : l’Américain R3Logic s’engage pour trois ans

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La société américaine R3Logic, spécialiste des outils de conception pour la micro-électronique 3 D, avait implanté un centre de recherche à Grenoble en 2009. Elle vient de créer un laboratoire commun avec le Léti pour une durée initiale de trois ans. Objectif : s’appuyer sur les outils de CAO de R3Logic pour concevoir des nouveaux […] >>

14 avril 2010

NatX-ray livre son premier G-Rob

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La start-up NatX-ray, basée à l’IBS, a livré son premier G-Rob (pour Gonio-Robot) à l’École Polytechnique de Lausanne. Ce système robotisé pour la cristallographie saisit les échantillons, les positionne devant le faisceau, réalise des images de diffraction, afin de reconstruire la structure de la protéine avec un gain de temps considérable.   NatX-ray, qui compte […] >>

13 avril 2010

ImmunID fête ses cinq ans en beauté

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Créée le 25 mars 2005 à Grenoble, la start-up de biotechnologies ImmunID fête cet anniversaire en beauté. Elle vient d’annoncer la signature d’un accord de collaboration technique avec Roche Diagnostics, n°1 mondial du diagnostic en biologie moléculaire. La nouvelle génération des stations de « météo immunitaire » d’ImmunID, appelée IFS, sera couplée avec des appareils […] >>

13 avril 2010

Nanoélectronique : le Léti mesure au nanomètre près

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C’est une rupture en métrologie critique : une équipe du Léti a mis au point une méthode industrialisable de mesure 3 D d’objets nanométriques dont l’incertitude est de l’ordre du nanomètre, contre 5 à 10 nm habituellement. Or, sur des transistors 28 nm, cette incertitude devient une source d’erreur majeure, allonge les cycles de développement […] >>
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