Actualités : MINATEC

30 novembre 2014

Salle blanche 300 mm : de nouveaux équipements en 2015

  • Actualités
  • MINATEC
  • Recherche
  • Vie de campus
Depuis l’ouverture de sa troisième extension cet été, la salle blanche du bâtiment 41.02, dédiée aux activités de microélectronique 300 mm, offre une superficie globale de 2 200 m2. Le nouvel espace de 500 m2 qui vient d’être ouvert permettra d’accueillir de nouveaux équipements pour la fabrication de composants microélectroniques (dépôt, gravure de couches minces, […] >>

30 novembre 2014

Oxydes nanostructurés : suivez leur croissance en direct

  • Actualités
  • MINATEC
  • Recherche
Le projet ANR MOON connaîtra en février une étape importante : la conduite d’une seconde campagne d’essais sur le synchrotron SOLEIL, près de Paris. Grâce à un réacteur de dépôt en phase vapeur (CVD) instrumenté et embarqué sur un diffractomètre, une équipe LMGP-SIMaP* suivra seconde par seconde le dépôt de couches ultrafines d’oxyde de zinc […] >>

30 novembre 2014

Les micro-écrans battent des records de luminance

  • Actualités
  • Industrie
  • MINATEC
  • Recherche
Dans le cadre d’un laboratoire commun, le CEA-Leti développe avec Microoled des micro-écrans OLED couleur qui pourraient atteindre la luminance record de 5000 candelas/m2, pour un encombrement bien inférieur à celui des écrans LCD et une consommation moindre. Clé de cette avancée : les résultats du projet européen FP7 SCOOP, mené entre 2011 et 2013. […] >>

30 novembre 2014

Le pare-brise intelligent va prendre des couleurs

  • Actualités
  • Industrie
  • MINATEC
  • Recherche
En vue d’améliorer et d’industrialiser le concept de pare-brise intelligent, une équipe du CEA-Leti poursuit ses travaux en partenariat avec la société Optys (groupe Nexter). Le principe du pare-brise intelligent ? Faire bénéficier le conducteur d’un affichage (interactif et furtif) d’informations et d’images de réalité augmentée sur son pare-brise, grâce à un système de projection-acquisition […] >>

30 novembre 2014

Les transistors à nanofils se rapprochent du CMOS

  • Actualités
  • MINATEC
  • Recherche
Avec des courants de fuite 100 à 1000 fois inférieurs à ceux des transistors MOS, les transistors tunnels FET sont des candidats crédibles aux futures applications très basse consommation. Mais ils restaient limités jusqu’ici par leurs courants à l’état passant, très inférieurs à ceux du MOS. Une équipe du CEA-Leti a fait sauter ce verrou. […] >>
En naviguant sur notre site, vous acceptez que des cookies soient utilisés pour vous proposer des contenus et services adaptés à vos centres d’intérêts. En savoir plus
X