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Plusieurs équipes dans le monde ont réalisé des transistors mono-électroniques de quelques nanomètres. Mais aucune ne l’avait fait au cœur du CMOS, avec un fonctionnement à température ambiante. Une équipe CEA Leti/INAC vient de relever ce double défi. Son transistor, inséré dans un fil de silicium de 3,4 nm de diamètre, fonctionne depuis les basses […] >>

Mener avec une sonde Auger l’analyse élémentaire quantitative d’un nanofil hétérostructuré de silicium-germanium … Une équipe CEA-Leti– CNRS/LTM /LPN l’a fait, grâce à la mise au point de nouveaux protocoles d’analyse spectroscopique et de profilométrie. Ils ont été validés par recoupement avec les résultats issus de caractérisations préalables par diffraction X et microscopie en transmission. […] >>

Comment déformer le plus possible du germanium pour doper sa capacité à émettre de la lumière et lui ouvrir des applications en émission laser ? C’est le sujet de recherche d’une équipe INAC-Leti qui explore tour à tour différents procédés. Le dernier publié porte sur l’utilisation d’une couche de nitrure de silicium contrainte pour déformer […] >>

Comment savoir si les antennes de goniométrie, une fois installées sur un drone ou tout autre véhicule, restent aussi fiables qu’à l’étalonnage en sortie d’usine ? Réponse : en les dotant d’un système embarqué d’autodiagnostic. Développé au CEA-Leti dans le cadre d’une thèse, il est basé sur un réseau de photodiodes qui sondent l’environnement proche. […] >>

On sait de longue date que le courant dans les jonctions tunnel magnétiques (JTM) dépend largement des états de spin aux interfaces entre couches ferromagnétiques et isolantes. Or, certains de ces états favorisent le passage du courant, d’autres beaucoup moins. Phénomène dont une équipe internationale comprenant des chercheurs INAC vient d’affiner la compréhension. Elle a […] >>