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06 octobre 2013

Cellule solaire à concentration : 4 jonctions et 44,7% de rendement

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Les travaux de développement menés entre Soitec, le Leti et l’institut Fraunhofer pour l’énergie solaire, ont permis d’atteindre un rendement de conversion photovoltaïque de 44,7% avec une cellule à concentration à 4 jonctions. Ce rendement pourrait monter à 50% dans les années à venir. La meilleure cellule mondiale affichait jusqu’ici 44,4%. Mais sa technologie s’appuie exclusivement […] >>

06 octobre 2013

Solaire : les cellules à colorants dépassent les 10 %

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10,2 % de rendement de conversion contre 6% pour la génération précédente : les chercheurs d’INAC ont réalisé un bond sur les performances de leurs cellules solaires à colorants organiques. Le coefficient d’absorption de ces colorants triple par rapport aux colorants de référence dont l’inconvénient est de contenir du ruthénium, métal rare et cher qui […] >>

06 octobre 2013

Images manipulées : les programmes de détection se trompent

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Grâce à une restauration d’image avancée, il est possible de faire passer pour vraie une image JPEG manipulée, en trompant les programmes de détection existants. C’est ce qu’ont montré quatre chercheurs du Gipsa Lab et de l’université de Pékin qui ont reçu un Best paper award lors d’une conférence en juin. Ces programmes de détection […] >>

06 octobre 2013

Des nanoparticules d’or contre les tumeurs du cerveau

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Des nanoparticules d’or injectées dans la tumeur et activées par rayonnement Synchrotron : c’est l’approche thérapeutique qu’une équipe INAC a testée avec succès sur des rongeurs atteints de tumeurs cérébrales, en collaboration avec une équipe INSERM basée à l’ESRF. La survie des rongeurs a augmenté de manière significative par rapport aux animaux traités par irradiation […] >>

06 octobre 2013

L’analyse de surface non destructive plonge à 50 nm de profondeur

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C’est une première mondiale : une équipe franco-danoise comprenant des chercheurs du Leti et de STMicroelectronics a pu faire à l’ESRF l’analyse non destructive d’une couche d’empilement CMOS enterrée à plus de 50 nm, et localisée avec une précision de 10 %. La technique utilisée est la photoémission par rayons X, réservée jusqu’ici aux analyses […] >>
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