Conversion de puissance : des composants GaN très prometteurs

L’aéronautique et l’automobile appellent de leurs vœux des convertisseurs de puissance plus compacts et plus performants. Les derniers travaux du Leti sur un convertisseur intégrant des composants en nitrure de gallium (GaN) sur silicium ont de quoi les réjouir. Testés sur démonstrateur, ils ont montré un faible niveau de pertes et une vitesse de commutation qui permettrait de monter à 30 MHz de fréquence. Les meilleurs convertisseurs actuels plafonnent à 100 kHz.

Ces composants GaN sont bidirectionnels : ils commutent sur courant alternatif sans recours à un étage de conversion, ce qui permet de supprimer de nombreux éléments passifs. Ils sont compatibles CMOS, donc peu coûteux à fabriquer. Au premier semestre 2017, le Leti testera, toujours sur démonstrateur, un nouveau lot tout juste sorti des salles blanches.

Contact : othman.ladhari@cea.fr

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