Davantage de vitesse d’écriture pour les mémoires STT-MRAM

Une équipe Spintec a réussi à augmenter la vitesse d’écriture de mémoires STT-MRAM, tout en réduisant la tension électrique d’écriture. Ceci en introduisant dans la couche de stockage une anisotropie dite « de cône facile » qui désaligne de 10 à 15 ° les aimantations initiales de la couche de stockage (commutable) et de la couche de référence. Grâce à cet angle initial, il devient bien plus facile et rapide de réaliser le retournement d’aimantation lors de l’écriture du point mémoire. Normalement, ce sont les fluctuations thermiques intrinsèquement aléatoires (donc incontrôlables) qui donnent cet angle initial, nécessaire au déclenchement du retournement d’aimantation.

Ce principe dit « d’anisotropie de cône facile » est obtenu grâce à des matériaux magnétiques spécifiques et des conditions de recuits particulières.

Contact : bernard.dieny@cea.fr

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