Un pas de plus vers le mariage du graphène et de la spintronique

Mettre à profit les exceptionnelles propriétés du graphène dans les dispositifs spintroniques peut paraître antinomique. Cela implique en effet de parvenir à injecter un courant polarisé en spin dans ce matériau bidimensionnel, en dépit du fait qu’il ne soit pas magnétique. Une équipe d’INAC vient de montrer, par des méthodes de calcul ab initio, qu’il est possible d’induire une polarisation de spin robuste dans le graphène en le plaçant à proximité d’isolants magnétiques. En particulier, elle a révélé que le grenat de fer et d’yttrium et les chalcogénures d’europium confèrent des propriétés magnétiques au matériau, même à température ambiante. Ces résultats obtenus dans le cadre du programme européen Graphene Flagship, permettent d’envisager la conception de portes logiques de spin à l’aide d’effets de proximité dans le graphène.

Contact : mair.chshiev@cea.fr

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