Des cellules mémoires STT-MRAM sous l’œil du Titan

Spintec développe depuis 4 ans une géométrie de points mémoires STT-MRAM qui supprime une étape de gravure, préjudiciable à l’intégrité de la couche magnétique. Les chercheurs ont voulu caractériser le comportement magnétique de ces points, déposés sur des piliers de 230 nm espacés de 400 nm. Ils les ont observé en holographie électronique sur le MET Titan Ultimate de la PFNC.

Si les points mémoires absorbent le flux magnétique rayonné par leurs voisins, ils « parlent » entre eux. Mais s’ils s’alignent dans la même direction sous l’action d’un champ magnétique, la mémoire fonctionne parfaitement. Entre les piliers, cette couche se dépose sur le substrat. Les observations sur le Titan ont montré que sa surface étendue permet d’absorber le flux magnétique rayonné quand celui-ci s’échappe des points mémoire.

Contact : aurelien.masseboeuf@cea.fr, david.cooper@cea.fr

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