Design FDSOI : démarrage prometteur pour Silicon Impulse

Où concevoir, prototyper et fabriquer en petite série, à des fins de validation ou de pré-industrialisation, des circuits basés sur la technologie FDSOI ? Réponse : au centre de design Silicon Impulse du CEA-Leti, et nulle part ailleurs.

Cette plateforme lancée en mars 2015 a déjà attiré plusieurs industriels et laboratoires académiques français et étrangers. En février, son premier wafer multi-projets sera réalisé en technologie FDSOI 28 nm de STMicroelectronics ; les circuits de plusieurs partenaires y cohabiteront.

Le FDSOI 28 nm a le vent en poupe pour les applications liées à l’internet des objets et à la basse ou très basse consommation. Silicon Impulse, déjà soutenu par STMicroelectronics, est en pourparlers avancés avec Global Foundries, autre fondeur de taille mondiale, pour accéder également au FDSOI 22 nm.

Contact : caroline.arnaud@cea.fr

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