Actualités : Métrologie

Contexte : La croissance par épitaxie d’empilements de semiconducteurs III-V à base de GaN est limitée par un fort taux de dislocations lorsque réalisée sur substrat Silicium. Il est nécessaire de réduire ce taux de défauts pour la réalisation de μleds. La croissance localisée de GaN est sensée réduire la densité de dislocations, mais a […] >>