Actualités : Technologies micro et nano
08 octobre 2019
Hybrid CMOS-RRAM Neuron circuits
Context : Brain-inspired architectures in neuromorphic hardware are currently subject to intensive research as an alternative to the limits of traditional computer organization. The remarkable computing performance and efficiency of biological nervous systems are widely attributed to the co-localization of memory and computation spatially through the structure. Re-configurable non-volatile resistive memories (RRAMs) can be incorporated […] >>
08 octobre 2019
Modulation des niveaux de résistance dans une mémoire RRAM pour des applications neuromorphiques
Contexte: Depuis les dernières 50 années, les processeurs sont basés sur larchitecture de von Neumann et les progrès dans lintégration à très grande échelle ont permis de réaliser cette architecture computationnelle sur un substrat technologique adéquat. Cependant aujourdhui la miniaturisation des composantes électroniques nest plus suffisante pour augmenter les performances et réduire la consommation de […] >>
08 octobre 2019
RF Characterization and reliability of a power amplifier cell under large signal operation
Context : In an RF front end module, the power amplifier is the device seeing the harshest conditions with regard to reliability (temperature, voltage). The lifetime prediction of such devices needs appropriate testing and modeling as the current reliability models are solely based on DC measurements. An RF-based model is then mandatory to accurately estimate […] >>
08 octobre 2019
Characterization and reliability of RF switches, study of the substrate impact on performance.
Context: Incoming 5G imposes new challenges on RF devices performance such as operating at millimeter-wave frequencies and harsh constraints on linearity to avoid spectral pollution in the adjacent carriers. The best way to efficiently reduce the level of harmonics is to boost the resistivity of the semiconductor beneath the buried oxide. In SOI (Silicon on […] >>
08 octobre 2019
Développement de mesures dynamiques pour composants GaN sur silicium
Cadre et contexte Les composants de puissance GaN sur Si sont aujourdhui vu comme la prochaine génération de composants « mass market » pour la conversion dénergie électrique. Dans ce cadre, le LETI développe sa propre filière GaN sur Si (compatible CMOS) allant du substrat au module final. Ces dispositifs doivent opérer des commutations entre un état […] >>