Électronique CMOS et dispositif quantique : la cohabitation s’organise

De l’électronique digitale et analogique associée à un dispositif quantique, sur un substrat FD-SOI refroidi à 110 mK. C’est la physionomie singulière du circuit réalisé par une équipe CEA-Leti – Irig et présenté en conférence en février. Cette preuve de concept est fidèle aux exigences des futurs circuits à bits quantiques. En particulier, les chercheurs ont montré qu’on pouvait faire monter des transistors à plusieurs GHz, même à 110 mK, tout en maintenant la dissipation thermique sous les 300 µW environ du réfrigérateur à dilution du circuit.

Autre enseignement : le silicium confirme son potentiel comme matériau de base des qubits, avec les avantages offerts par les décennies d’expérience CMOS de l’industrie. Ce projet a été réalisé dans le cadre de Quantum Silicium Grenoble.

Contact : loick.leguevel@cea.fr

Facebook

Twitter