Electronique de puissance : un premier démonstrateur de transistor GaN 600V/100 A

Les composants de puissance ont leur transistor ! Une équipe du Leti vient de réaliser un premier démonstrateur de type MIS-HEMT* 600 V/100 A normalement bloqué (N-off), dont les performances sont compatibles avec l’électronique de puissance, pour un coût raisonnable et fonctionnant à 200 °C. Sa tenue à des tensions allant jusqu’à 600 V a été obtenue grâce au dépôt d’une couche de 3 à 4 microns de GaN sur une plaque de silicium de 200 mm de diamètre.
Cette réalisation a notamment été rendue possible par la mise au point d’une interface adaptée entre la couche de silicium et celle de GaN. En outre, le transistor affiche une fréquence de fonctionnement plus élevée que celle des composants de puissance actuels, ce qui en fait le parfait candidat pour les applications de conversion d’énergie.

Contact : rene.escoffier@cea.fr

*Metal Insulator Semiconductor High Electron Mobility Transistor

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