Électronique de puissance : un module GaN qui bat des records

Le CEA-Leti a développé pour ses nouveaux composants de puissance en nitrure de gallium (GaN) un packaging qui leur permet d’exprimer tout leur potentiel. Ce module à refroidissement double face se distingue par une inductance parasite extrêmement faible. Le risque de surtension est assez réduit pour autoriser des commutations à 350 V et 10 A, à une vitesse de commutation de 15 ns. Les chercheurs pensent atteindre des performances encore meilleures lors d’une prochaine campagne d’essais.

Le module a été fabriqué avec CEA Tech Toulouse et la société Aspi3D, qui a apporté deux briques technologiques. Son architecture peut être optimisée et adaptée à des composants beaucoup plus puissants. En ligne de mire : les onduleurs de véhicules électriques, qui requièrent des puissances de 100 à 150 kW.

Contacts : pierre.perichon@cea.fr, christine.laurant@cea.fr

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