Enfin des mémoires PCM moins gourmandes en courant

Non volatiles, rapides, peu coûteuses, les mémoires à changement de phase (PCM) auraient toutes les qualités si leur courant de programmation n’était pas si élevé : il limite leur miniaturisation et leur densité maximale. Une équipe Leti a obtenu des résultats prometteurs avec une architecture de PCM optimisée, dite « à structure confinée » : ce point mémoire de 50 nm présente une réduction significative du courant par rapport à une architecture Plug standard de 300nm.
Il a été réalisé en associant la lithographie e-beam, le dépôt de couches minces atomiques (mis au point avec l’équipementier ASM) et un procédé de polissage mécano-chimique adapté. La structure, qui utilise un composé de GeSbTe, doit encore être optimisée pour être compatible avec les futurs nœuds technologiques sub 45 nm.

Contact : carine.jahan@cea.fr

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