Le germanium, un nouveau venu au pays de la spin-orbitronique

Peut-on obtenir un effet de magnétorésistance unidirectionnelle* – ou UMR –  avec un semiconducteur comme le germanium ? Oui : une équipe Spintec l’a démontré dans une récente publication. Certes, cet effet avait déjà été observé sur deux matériaux non magnétiques, d’usage plutôt rare. Mais avec le germanium, il est 100 fois plus intense.

Pour les chercheurs, l’UMR trouve son origine dans le gaz d’électrons en surface du matériau ; le spin de ces électrons s’aligne perpendiculairement à leur déplacement. Le phénomène a été modélisé de façon satisfaisante en collaboration avec l’Unité mixte de physique CNRS-Thales à Palaiseau. Ce résultat relance les travaux sur un transistor à spin : en faisant varier la tension de grille, l’UMR permettrait de modifier ou de conserver l’état des spins injectés depuis la source.

* résistance induite par un courant

Contact : matthieu.jamet@cea.fr

Facebook

Twitter