La diffraction X confirme les atouts du silicium précontraint

Avec sa conductivité électrique jusqu’à 2,5 fois supérieure à celle du silicium, le silicium précontraint s’installe dans un nombre croissant de circuits intégrés. Mais il n’avait jamais été étudié à l’échelle nanométrique in situ : une lacune qu’une équipe INAC/Leti/ESRF Grenoble Alpes vient de combler.
Elle a analysé sous diffraction X des bandes de 225 x 70 nm2 de silicium précontraint sur isolant, et établi la première cartographie bidimensionnelle in situ de déformation d’une ligne unique. L’étude a permis de suivre la déformation de la ligne. Elle a montré que la contrainte axiale qui assure le gain en mobilité des porteurs reste constante lorsque l’interface silicium/isolant se dégrade. D’autres dispositifs nanoélectroniques pourront être évalués de la même façon.

Contact : vincent.favre-nicollin@cea.fr

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