Laser germanium sur silicium : pourquoi les reprises de contacts flanchent

Les lasers germanium intégrés sur silicium font rêver les chercheurs en optronique. Mais les reprises de contacts restent encore trop instables sur le plan thermique… Une thèse menée au CEA-Leti a décrypté pour la première fois ce comportement capricieux. Ce qui a valu à son auteure, Andrea Quintero, dix publications en trois ans et un Best Paper Award à la conférence ECS Prime 2020.

Le germanium, matériau de gap indirect, doit incorporer 10 ou 15% d’étain pour obtenir les performances optiques voulues. Or, cet étain ségrège au-delà d’une certaine température lors de l’étape de chauffage nécessaire à la fabrication des reprises de contacts. La doctorante a mobilisé plusieurs équipements de la PFNC pour observer cette diffusion de l’étain vers la surface, qu’elle a formalisée dans un modèle descriptif.

Contact : camille.giroud@cea.fr

Accéder à la publication : https://doi.org/10.1149/09805.0365ecst

Facebook

Twitter