Le couplage spin-orbite, du sang neuf pour les mémoires MRAM

Spintec a fabriqué ces derniers mois la première génération de cellules mémoires MRAM d’un nouveau genre, susceptibles de dépasser les limitations actuelles de ces composants. Elles utilisent le couplage spin-orbite (SOT) pour découpler les chemins suivis par le courant lors des phases d’écriture et de lecture. La jonction tunnel magnétique n’est plus soumise à de fortes densités de courant, d’où une meilleure tenue au claquage et au vieillissement. Les risques d’écriture intempestive lors de la lecture sont supprimés.
Cette première génération de SOT-MRAM utilise les mêmes matériaux que les MRAM. Elle cumule les résultats prometteurs, par exemple magnétorésistance tunnel élevée ( 90 %) et commutation largement sub-ns (moins de 200 ps). Les travaux se poursuivent, notamment pour réduire la consommation.

Contact : gilles.gaudin@cea.fr

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