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Les composants nano comme vous ne les avez jamais vus
Catégorie(s) : Actualités, Recherche
Publié le : 2 décembre 2013
La chimie et la morphologie d’un dispositif nanoélectronique peuvent maintenant être caractérisées en 3 D sur la PFNC, avec une résolution spatiale inférieure à 2 nm. Une équipe Leti – CNRS – STMicroelectronics vient de le démontrer pour un transistor 45 nm.
Les images obtenues en combinant microscopie électronique et sonde atomique tomographique sont des mines d’information pour les chercheurs. A titre d’exemple, il devient possible de caractériser le dopage bore dans le silicium en 3 D, avec une limite de détection pouvant être inférieure à 1018at.cm-3.
Un projet ANR APTITUDE, incluant la société Cameca a démarré en janvier 2013 afin d’améliorer les algorithmes de reconstruction des images obtenues par sonde atomique. Le prochain défi pour l’équipe sera la caractérisation d’un transistor 14 nm.
Contact : adeline.grenier@cea.fr
