Les fils de GaN pour LED révèlent leurs propriétés électriques

Difficile de caractériser les propriétés électriques et le dopage n et p d’un fil unique de nitrure de gallium (GaN) : sa géométrie ne s’y prête pas… Or, une équipe Leti- Institut Néel a trouvé une solution. Grâce à la lithographie électronique, elle connecte un fil reporté sur un substrat isolant à 4 plots métalliques et crée à proximité un dispositif de chauffage. Il devient alors possible de mesurer la concentration en porteurs et leur mobilité.
Les premiers travaux ont porté sur des fils de GaN dopés silicium (dopage n), qui se sont révélés meilleurs conducteurs que les couches planaires similaires. Les chercheurs abordent maintenant la caractérisation du dopage p. En ligne de mire : des LEDs à base de fils de GaN performantes, bien moins coûteuses que les LEDs planaires d’aujourd’hui.

Contact : pierre.tchoulfian@cea.fr

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