Les MRAM s’affranchissent des champs magnétiques

Une équipe Spintec – Léti – Crocus Technology vient de démontrer la fonctionnalité d’un procédé d’écriture de MRAM par courant électrique polarisé en spin, sans champ magnétique appliqué. Ce courant chauffe une couche de stockage ferromagnétique stabilisée par une couche antiferromagnétique, jusqu’à retourner la direction d’aimantation.

Principal atout de la technologie : le courant est bien plus faible que celui nécessaire à la génération d’un champ magnétique, d’où une réduction de consommation d’un facteur 10, voire davantage.

L’équipe poursuit ses travaux avec la réalisation d’un démonstrateur complet (circuits de lecture et d’écriture intégrés) et l’espoir d’être à l’origine d’une avancée majeure pour les MRAM.

Contact : ricardo.sousa@cea.fr

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