Les transistors à nanofils se rapprochent du CMOS

Avec des courants de fuite 100 à 1000 fois inférieurs à ceux des transistors MOS, les transistors tunnels FET sont des candidats crédibles aux futures applications très basse consommation. Mais ils restaient limités jusqu’ici par leurs courants à l’état passant, très inférieurs à ceux du MOS. Une équipe du CEA-Leti a fait sauter ce verrou. A 760 µA/µm de courant à l’état passant, elle multiplie par deux le précédent état de l’art et se rapproche des 1 000 µA/µm du CMOS classique, grâce à la technologie nanofil.
Sur ces nouveaux composants, les dopages de la source et du drain sont opposés. Le canal situé sous la grille est un nanofil de silicium-germanium de 7 nanomètres de diamètre. Intel et Global Foundry participent aux recherches dans le cadre du projet européen Steeper.

Contact : cyrille.leroyer@cea.fr

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