La magnétorésistance géante s’invite dans de nouvelles structures

Une équipe Spintec a mis à profit les derniers progrès de la lithographie pour réaliser de nouvelles structures dites « latérales », où l’on observe le phénomène de magnétorésistance géante (GMR). Au lieu d’empiler des couches ultra-minces magnétiques et non magnétiques, ils disposent ces couches sur un même plan. Exemple : deux matériaux magnétiques peuvent être séparés par un espaceur non-magnétique de quelques dizaines de nanomètres.

Les variations de GMR mesurées avec un binôme cobalt-fer dépassent les 10 %, autant qu’avec les structures classiques. Selon l’agencement des couches dans le plan, l’aimantation peut être orientée dans les trois axes, et plus seulement vers le haut ou le bas. L’étude de ces structures latérales se poursuit. Elles pourraient être utilisées à terme dans les mémoires de type MRAM.

Contact : mailto:jean-philippe.attane@cea.fr

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