Mémoires MRAM et ions lourds : même pas mal !

Les mémoires MRAM de dernière génération de Spintec ne sont pas conçues pour des applications d’électronique durcie. Mais lorsqu’on soumet leur Jonction tunnel magnétique (JTM), cœur du dispositif, à un bombardement d’ions lourds, celle-ci tient le choc. C’est ce qui ressort des essais menés sur le cyclotron de l’Université catholique de Louvain (UCL), en Belgique. Les chercheurs ont mis à l’épreuve deux technologies à forte densité, les STT-MRAM et les SOT-MRAM, et mesuré les principaux paramètres de fonctionnement. L’impact des particules n’est pas significatif et les propriétés électriques restent stables.
Seules certaines propriétés magnétiques varient, en raison de l’effet de la température et non de l’irradiation elle-même. Prochaine étape envisagée : tester des mémoires MRAM complètes.

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