MRAM : l’industrie microélectronique adopte la spintronique

C’est une étape majeure : les plus grands fondeurs mondiaux, dont Samsung, TSMC et GlobalFoundries, ont annoncé début 2018 le début de leur production en volume de mémoires MRAM. Les raisons ? Coûts de fabrication inférieurs à ceux des mémoires embarquées flash, faible consommation, vitesse de communication, nombre de cycles quasi-infini…

SPINTEC a largement contribué à ces développements. Le laboratoire se situe au meilleur niveau mondial, d’après une étude du SBEM* parue en 2016. Il a déposé des brevets-clés sur l’anisotropie perpendiculaire aux interfaces métal magnétique/oxyde (2006, 2008), le couple de spin orbite (2010) ou les MRAMs utilisant l’anisotropie perpendiculaire de forme (2017). Autant d’avancées qui annoncent les futures technologies de MRAM, cette mémoire dont l’histoire continue à s’écrire.

* Service bibliométrie et études marketing du CEA

Contact : bernard.dieny@cea.fr

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