MRAM : quand le courant emprunte un chemin de traverse

Publication dans Nature, intérêt manifeste du monde industriel : le nouveau principe de MRAM conçu par SPINTEC* avec des partenaires espagnols va peut être créer l’événement dans le monde des mémoires. Avec cette structure (couche de cobalt insérée entre deux électrodes, platine et oxyde d’aluminium), les chemins empruntés par le courant électrique pour écrire et pour lire l’information ne sont plus les mêmes ; il devient possible d’optimiser les propriétés des matériaux traversés pour chacune de ces étapes, sans affronter des exigences contradictoires. La MRAM est plus rapide et le courant injecté pourrait être divisé par dix.
Le fonctionnement de cette structure inédite n’est pas encore bien expliqué. Il pourrait impliquer deux phénomènes, l’effet Rashba et l’effet Hall de spin.
 
* unité mixte CEA/INAC, CNRS, UJF

Contact : gilles.gaudin@cea.fr

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