Nanoélectronique : le Léti mesure au nanomètre près

C’est une rupture en métrologie critique : une équipe du Léti a mis au point une méthode industrialisable de mesure 3 D d’objets nanométriques dont l’incertitude est de l’ordre du nanomètre, contre 5 à 10 nm habituellement. Or, sur des transistors 28 nm, cette incertitude devient une source d’erreur majeure, allonge les cycles de développement et diminue les rendements.

Les chercheurs utilisent un microscope à force atomique 3 D dont ils adaptent le mode Deep Trench, normalement réservé aux mesures de hauteur. Les essais réalisés sur une ligne pilote d’IBM sont très probants. Ces travaux ont fait l’ouverture d’une conférence internationale en février. Ils ont donné lieu à un atelier d’une semaine chez IBM et à des propositions de partenariats avec Intel, Hitachi, Applied Materials, KLA, Sematech etc.

Contact : johann.foucher@cea.fr

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