Nanofils : surmonter les très forts écarts de paramètres de maille

Les écarts de paramètres de maille interdisent de nombreuses combinaisons de matériaux. Une équipe Irig – Institut Néel a décidé de lever cet obstacle sur des nanofils semiconducteurs d’arséniure de gallium/arséniure d’indium (GaAs/InAs). Elle forme entre les matériaux une interface de 5 nm constituée d’un alliage ternaire (InGaAs). Sa composition, proche du GaAs à une extrémité, évolue peu à peu vers celle de l’InAs.
Cette interface graduelle par croissance épitaxiale est le fruit d’une thèse menée dans l’équipe. Sa caractérisation montre une absence de défauts et un faible niveau de contraintes, alors que l’écart initial de paramètres de maille est de 7%. Selon les chercheurs, des écarts jusqu’à 11% seraient acceptables : de quoi imaginer des dispositifs aux propriétés optoélectroniques inédites.

Contact : moira.hocevar@cea.fr

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