Nouveau gain de précision dans la mesure des déformations nanométriques

La Plateforme de nanocaractérisation (PFNC) vient de signer une première mondiale en mesurant des déformations de transistors SOI avec une résolution spatiale inférieure à 2 nm.
Clé de ce succès : l’ajout de la diffraction électronique par précession sur le microscope électronique en transmission Titan. Un jeu de lentilles fait tourner le faisceau et permet d’augmenter le nombre de spots de diffraction. La précision des mesures de déformation passe de 5×10-3 à 3×10-4.
La déformation de matériaux nanoélectroniques est de plus en plus utilisée pour améliorer la mobilité des porteurs de charges. Ces nouvelles mesures, couplées à des simulations par éléments finis, fourniront des interprétations plus fines, dégagées notamment du biais que constitue la relaxation de l’échantillon (100 nm d’épaisseur seulement).

Contacts : nicolas.bernier@cea.fr ;  jean-luc.rouviere@cea.fr

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