Des ondes de spin détectées dans des matériaux compatibles CMOS

Les ondes de spin ont-elles un avenir pour de futurs dispositifs ultra-miniaturisés alternatifs au CMOS? On pouvait en douter jusqu’ici : leur manipulation demandait des matériaux incompatibles avec les technologies silicium. De plus, leur création, leur contrôle et leur détection nécessitaient des techniques non miniaturisables. Une équipe INAC vient de lever plusieurs de ces obstacles. Elle est parvenue à générer, propager et détecter des ondes de spin de longueur d’onde jusqu’à 150 nm dans des guides d’onde fabriqués avec des matériaux de mémoires STT-RAM.

Ces empilements en couches très minces permettent une propagation peu atténuée grâce à un choix précis des épaisseurs. La détection utilise l’effet Hall de spin inverse, compatible avec une ultra-miniaturisation. Ces travaux ont été publiés dans Nanoletters.

Contact : gilles.gaudin@cea.fr

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