Croissance de films minces 2D par dépôt de couche atomique pour la réalisation de switch radiofréquence

Au sein du Leti, le Service des Procédés de Dépôts (SDEP) a pour objectif de définir, développer et mettre en œuvre les équipements ou techniques pour le dépôt en couches minces les plus innovantes. Dans ce cadre, nous étudions des procédés en ruptures, sur des équipements sous vide, à l’échelle de l’angstrœm. Ce post-doctorat s’inscrit dans le cadre d’un projet ANR multipartenaires, où nous explorons le potentiel applicatif des films 2D pour la réalisation de switch non-volatiles. Ce projet inclut la simulation, la réalisation et le test électrique des dispositifs ; le Leti étant en charge de la synthèse des couches.

Les films que nous étudions sont des couches atomiques 2D, aussi appelés transition metal dichalcogenides (TMDs). Plus spécifiquement, ce sont des cristaux bidimensionnels de composition MS2, où M est un métal de transition et S l’élément soufre. Ces alliages au soufre sont particulièrement très étudiés, car ils présentent une large gamme de propriétés électriques, mécaniques et physico-chimiques. Nous synthétisons actuellement ces films sur silicium, en 200 ou 300mm, sur des équipements de dépôt chimique sous vide par la technique de dépôt de couche atomique, combinant la réaction séquentielle d’un précurseur chimique apportant le métal, et d’une molécule de thiol. Nous réalisons le suivi in-situ de la croissance, couche atomique par couche atomique et sans rupture du vide, via une instrumentation d’analyse de surface avancée sous faisceau X, ainsi que le suivi in-situ des gaz par analyse résiduelle (RGA).

Nous recherchons un(e) excellent(e) candidat(e) de profil recherche qui étudiera la croissance des films ainsi que le suivi in-situ de cette croissance. Cela nécessitera de maitriser l’équipement de dépôt, son suivi technique, eventuellement sa maintenance, l’élaboration de plans d’expériences et leurs réalisations, l’analyse par caractérisation sous faisceau X, et la publication des résultats dans des journaux à comité de lecture.

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