Développement de matériaux antiférroélectriques par ALD pour des capacitances MAFM

Ce projet ambitionne de développer et d’intégrer de très fines couches d’oxydes fonctionnels pour une nouvelle classe de capacités AF (antiferroélectriques) à très forte densité (>20 J.cm-3). Le sujet sera focalisé plus particulièrement sur les couches AFE ultraminces et conformes à base d’HfO2 et/ou de ZrO2 réalisées par ALD (Atomic Layer Deposition). Les propriétés AF des capacitances réalisées seront explorées en fonction des propriétés intrinsèques des couches d’oxydes, de la nature des électrodes métalliques (différents types de TiN) et du recuit post-métallisation (température compatible BEOL <450°C). Les objectifs principaux de ce projet d’une durée de 24 mois seront (i) identification et optimisation du procédé ALD pour les diélectriques AF (à base de Zr, de Hf et de dopants additionnels Al, Si par exemple) ; (ii) mise au point et caractérisation structurale et électrique des empilements MAFM (Métal-AF-Métal) ; (iii) Intégration et validation des capacités MAFM compatibles BEOL sur des véhicules de test en 200 mm

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