Modélisation des qubits de spins silicium et germanium

Les qubits de spin silicium/germanium ont fait des progrès remarquables au cours des deux dernières années. Dans ces dispositifs, l’information élémentaire est stockée sous la forme d’une superposition cohérente des états de spin d’un électron dans une hétérostructure Si/SiGe, ou d’un trou dans une hétérostructure Ge/SiGe. Ces spins peuvent être manipulés électriquement grâce au couplage spin-orbite intrinsèque (ou synthétique) et être intriqués par des interactions d’échange, permettant la mise en œuvre d’une variété de portes à un et deux qubits nécessaires au calcul et à la simulation quantiques. Les objectifs de ce postdoctorat sont de renforcer nos connaissances et de soutenir le développement des qubits de spin d’électrons et de trous basés sur des hétérostructures Si/Ge grâce à la modélisation analytique ainsi qu’à la simulation numérique avancée. Les sujets d’intérêt incluent la manipulation et la lecture du spin, les interactions d’échange dans les réseaux 1D et 2D, la cohérence et les interactions avec d’autres particules telles que les photons. Le/La candidat(e) sélectionné(e) rejoindra un projet dynamique réunissant > 50 personnes avec des expertises variées couvrant la conception, la fabrication, la caractérisation et la modélisation des qubits de spin. Il/Elle pourra commencer début 2023, pour une durée maximale de trois ans.

Facebook

Twitter