Première mesure du spectre d’un dopant dans une nanostructure

Mesurer des niveaux d’énergie de dopants dans des nanostructures silicium est un challenge clé de la nanoélectronique : à cette échelle, ces niveaux sont largement déterminés par l’environnement et la mesure in situ du spectre d’un seul dopant semble inatteignable.
Une équipe INAC – Leti vient pourtant de relever ce défi avec succès. Elle a réalisé un dispositif nanométrique à 3 grilles, permettant de coupler ou de contrôler séparément deux dopants phosphore pour aligner leurs niveaux fondamentaux et/ou leurs niveaux excités. Des mesures de l’effet tunnel résonant à 4 K à travers les deux dopants en série ont alors permis de mesurer la différence d’énergie entre le niveau fondamental et le niveau excité de chaque dopant.
Ces travaux ont donné lieu à une publication dans la prestigieuse Physical review letter.

Contact : marc.sanquer@cea.fr

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