(Presque) prêts pour le MOS 22 nm !

C’est une première mondiale et ils en sont fiers : une équipe du Léti a réalisé un transistor MOS qui intègre la plupart des développements technologiques jugés indispensables pour le noeud 22 nm, fin de la roadmap CMOS silicium. Au menu : architecture double grille autoalignée, diélectrique haute permittivité, grille métallique, source et drain métalliques en vue de la réduction des résistances d’accès, etc.
 
Les caractéristiques électriques sont très prometteuses et l’utilisation indépendante des deux grilles ouvre la voie à de nouveaux modes de fonctionnement. Des équipes de concepteurs, dont celle du Léti, s’appuient d’ailleurs déjà sur ce transistor pour inventer les circuits de demain.
 
Contact : maud.vinet@cea.fr

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