La production de MoSe2 bidimensionnel à grande échelle et sans scotch !

Une équipe d’INAC vient de parvenir à synthétiser des couches tri-atomiques homogènes de MoSe₂ à grande échelle, en utilisant l’épitaxie par jets moléculaires. Tout comme les autres TMD*, le MoSe₂ est un semi-conducteur 2D ayant un fort potentiel pour, notamment, les applications en électronique, spintronique et optoélectronique. Or, la technique de production par exfoliation de matériaux lamellaires à l’aide de ruban adhésif ne permet pas d’obtenir des dispositifs de qualité régulière. Elle est, en outre, incompatible avec une production de masse.
La technique d’INAC permet d’avoir un contrôle précis sur le nombre de couches déposées et une couverture intégrale du substrat. Les propriétés structurales et électriques ainsi que l’homogénéité des couches 2D ont été vérifiées en combinant plusieurs techniques de caractérisation.

*Transition Metal Dichalcogenide

Contact : matthieu.jamet@cea.fr

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