Reconstruire une surface de SiC, une affaire d’ordre et de désordre

Comment se reconstruit la surface d’un wafer de carbure de silicium (SiC) après découpe de sa partie supérieure ? La question est débattue depuis une première observation expérimentale, en 1997. Les travaux de simulation d’une équipe internationale pilotée par Irig, publiés dans Applied Physics Letters, viennent de révéler un mode de reconstruction inédit pour un semiconducteur.

La passivation des liaisons pendantes créées par la découpe n’est pas homogène. Une surcouche ordonnée d’atomes de silicium se forme bien. Mais sous cette couche, on observe un désordre de substitution pour compenser les liaisons pendantes de certains atomes de carbone. Ce résultat intéressera tous les chercheurs qui utilisent le SiC, par exemple en électronique de puissance ou pour faire croître du graphène.

Contact : pascal.pochet@cea.fr

En savoir plus : www.mem-lab.fr/Pages/Actualites/FM_2020_Pascal-Pochet.aspx

Facebook

Twitter