Record de miniaturisation pour un transistor CMOS mono-électron

Plusieurs équipes dans le monde ont réalisé des transistors mono-électroniques de quelques nanomètres. Mais aucune ne l’avait fait au cœur du CMOS, avec un fonctionnement à température ambiante. Une équipe CEA Leti/INAC vient de relever ce double défi. Son transistor, inséré dans un fil de silicium de 3,4 nm de diamètre, fonctionne depuis les basses températures jusqu’à l’ambiante.

Ces travaux publiés dans Nanoletters recouvrent un enjeu majeur : grâce au transistor mono-électron, il deviendrait possible de faire chuter la consommation des circuits ou même de les utiliser pour un processeur quantique. A ce jour, les chercheurs grenoblois s’attachent à réduire la variabilité de leurs transistors, quitte à relâcher quelque peu les contraintes de miniaturisation.

Contact : marc.sanquer@cea.fr

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