Renversement d’aimantation : faites-le avec un champ électrique

L’aimantation d’une nanostructure de type cellule mémoire MRAM peut être inversée par application d’un champ électrique plutôt que d’un courant. C’est le résultat obtenu par une équipe Irig associée à des chercheurs roumains*, et il ouvre de belles perspectives.
Le champ électrique permet d’écrire un point mémoire dix fois plus vite, avec 100 fois moins d’énergie que dans une mémoire standard STT-MRAM.
Les pertes par effet Joule sont réduites d’autant : de quoi éviter l’échauffement de l’empilement magnétique, qui dégrade la fiabilité et la robustesse de la STT-MRAM.
Les chercheurs ont déterminé par simulation les paramètres de commutation optimaux. Ils ont ensuite validé expérimentalement leurs calculs.
Leur étude se poursuit et pourrait déboucher à terme sur des composants innovants.
Un brevet a été déposé.

* Babes-Bolyai University and Technical University (Cluj‑Napoca, Romania)

Contact : liliana.buda@cea.fr

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