Développement de mesures dynamiques pour composants GaN sur silicium

Cadre et contexte
Les composants de puissance GaN sur Si sont aujourd’hui vu comme la prochaine génération de composants « mass market » pour la conversion d’énergie électrique. Dans ce cadre, le LETI développe sa propre filière GaN sur Si (compatible CMOS) allant du substrat au module final.  Ces dispositifs doivent opérer des commutations entre un état de forte tension (~650V) et de fort courant (~20A) à des fréquences élevées (> 100kHz). Il est donc nécessaire de tester le fonctionnement dynamique de ces composants le plus tôt possible dans la chaine de process.

Travail demandé :
Vous aurez en charge la définition des tests à réaliser pour déterminer les performances des composants en commutation ainsi que leur limitations (fréquence maximum de commutation, couple tension/courant maximum). Vous devrez par la suite développer le design des cartes à pointes possédant l’électronique de mesure embarquée ainsi que le cahier des charges associé. Vous serez garant du suivi de fabrication des cartes ainsi que de leur preuve de fonctionnement et de l’intégration à l’équipement de mesure sous pointes. Vous développerez les routines de pilotage des instruments de mesures et réalisera les tests associés sur les composants fournis par le LETI. Vous reporterez les performances et les limites de cartes développées. Un travail approfondi sur l’étude des design des composants sera demandé. Vous devrez faire preuve d’autonomie, de rigueur et d’esprit d’équipe. Le stage ouvrira sur une thèse portant sur la fiabilité dynamiques des dispositifs GaN sur Si.

Si vous êtes intéressé par cette offre de stage, merci de bien vouloir envoyer votre CV ainsi qu’une lettre de motivation à william.vandendaele@cea.fr

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