Actualités :
29 octobre 2019
Caractérisation de la dispersion dans des guides d’ondes sur verre amplificateur
Master thesis -Master Recherche / PFE (5 to 6 month) Caractérisation de la dispersion dans des guides d’ondes sur verre amplificateur IMEP-LaHC is working on integrated optics since a few decades and […] >>
22 octobre 2019
Electrodes pour circuits photoniques intégrés: application à la diélectrophorèse
Master thesis / PFE (5 to 6 month) Electrodes for integrated optical circuits: Application to dielectrophoresis IMEP-LaHC is one of the leading laboratories in the field of integrated optics, and more specifically of photonics on glass. Striving for innovation, one of our goals is to fabricate integrated devices dedicated to sensing applications such as […] >>
08 octobre 2019
Mise au point du procédé d’assemblage d’interconnexions à base de microtubes. Caractérisations électriques et morphologiques associées.
Ce stage se déroulera au sein du Laboratoire d’Assemblage et Intégration Photonique (LAIP) du département d’optique et photonique (DOPT) du CEA-LETI, il est composé d’une trentaine de personnes et se situe au bâtiment des hautes technologies de Minatec à Grenoble. Le LAIP développe notamment des technologies d’interconnexion de puces électroniques dans les domaines de la […] >>
08 octobre 2019
Micro-Transformateurs Magnétiques sur Silicium
Cadre et contexte : Les transformateurs et inductances haute-fréquence sont des composants essentiels pour les circuits électroniques modernes (communications sans fils, régulateurs et convertisseurs de tension, filtres EMI
). Leur miniaturisation à laide de matériaux magnétiques et leur intégration sur silicium suscitent un grand intérêt chez de nombreux industriels de la micro-électronique. Sappuyant sur de […] >>
08 octobre 2019
Etude d’architectures de transistors verticaux en GaN
Cadre et contexte : Le LETI transfère actuellement une technologie de composants de puissance AlGaN/GaN épitaxiés sur substrats Silicium 200mm avec un industriel reconnu dans le domaine du développement de composants de puissance (Silicium, SiC,
). Le sujet de stage vise à préparer la future génération de dispositifs GaN qui seront avec une architecture verticale. […] >>