Actualités :
08 octobre 2019
Caractérisation de matériaux piézoélectriques sans plomb pour applications actionneur et capteur
Cadre et contexte : Le LCMA, laboratoire de composants micro-actionneur, travaille sur lintégration de matériau piézoélectrique dans des microsystèmes permettant une fonction de transducteur électromécanique. Le Titanate Zirconate de Plomb (PZT) est à ce jour le matériau piézoélectrique le plus performant. La directive RoHS (Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and […] >>
08 octobre 2019
Caractérisation de membranes électroniques étirables
Cadre et contexte Dans le cadre du développement de lélectronique structurelle, thématique transverse au Leti et au Liten, la mise au point de systèmes conformables et étirables nécessite lintégration de structures en silicium fortement amincies (puces, capteurs) dans des membranes polymères (polyuréthane, silicone) étirables de plusieurs dizaines de % . Le contraste de rigidité entre […] >>
08 octobre 2019
Simulation and modelling of interconnect networks for CMOS quantum bit systems
Context : Because it may revolutionize the high performance computing systems, nowadays, silicon quantum computing technologies receive an increasing interest. Based on quantum bit (Qubit), the large potential of those technologies stems from the use of CMOS know-how to adapt the semiconductor qubit in large scale. To achieve efficient control and read-out of qubit with […] >>
08 octobre 2019
From technology to integrated circuits: optimization and validation of parasitics modeling into PDKs
Context : Parasitic resistances and capacitances in integrated circuit produce circuit performance degradations (i.e speed and power consumption) when CMOS technologies are scaling down. They also need to be accounted accurately while designing Non Volatile Memory (NVM) advanced circuit for neuromorphic applications or high power circuit with GaN technology to anticipate heating effect. Parasitic elements […] >>
08 octobre 2019
3D sequential integration for high density sensing applications.
Context : 3D sequential integration enables to achieve the highest 3D contact density between stacked levels compared to other existing techniques. However it requires to process stacked devices with a limited thermal budget. Leti institute is pioneer in this domain and has a unique expertise on low temperature devices for computing applications. This internships goal […] >>