Actualités :
08 octobre 2019
Conception, réalisation et caractérisation d’un détecteur optique de particules (PM) de nouvelle génération. Application à la mesure de la qualité de l’air
Le laboratoire des Capteurs Optiques (LCO) du CEA/LETI s’intéresse aux applications innovantes de l’optique et en particulier à l’utilisation de la photonique aux échelles nanométriques : plasmoniques, opto-mécaniques, photo-acoustiques, bio-photoniques. Le LCO conçoit (simulations optiques, logiciel de design), fabrique en salle blanche et caractérise des capteurs photoniques pour différentes applications telles que la détection de […] >>
08 octobre 2019
Overcoming catastrophic inference in neural networks through accurate overlapping representations
Context: Catastrophic forgetting is the fact that a neural network formed on a first set of elements can forget them when it learns a second set. Therefore, there can be no incremental learning. This is now becoming extremely limiting if we want to develop autonomous systems capable of dealing with situations that could not have […] >>
08 octobre 2019
Transfert de matériaux 2D pour des applications de la microélectronique
Cadre et contexte: Depuis la découverte du graphène (prix Nobel 2010), lengouement pour les matériaux 2D na cessé de croitre. En effet, ces matériaux présentent des propriétés très particulières et sont donc des candidats sérieux pour la miniaturisation de lélectronique et léconomie dénergie ainsi que pour les applications flexibles. Le stage porte sur létude du […] >>
08 octobre 2019
Phase-Change Memory for 28nm and beyond: New Frontiers and Innovations at the Limits of the Non-Volatile Memory Scaling Roadmap for the Automobile Microcontrollers of Tomorrow
The near future is Internet of Things (IoT), with the need of a data storage infrastructure allowing Big Data processing and Artificial Intelligence (AI) applications. The Memory Laboratory in CEA-LETI is developing the next generations of Non-Volatile Memories, and among them Phase-Change Memory (PCM) is the most mature one. PCM demonstrated capability of high data […] >>
08 octobre 2019
Electrical characterization of HfO2-based Metal/Ferroelectric/Metal and Metal/Ferroelectric/Insulator/Metal structures for emerging ultra-low power IoT memories: FeRAM-capacitance based and FTJ-resistance based respectively
Cadre et contexte : Depuis la découverte de la ferroélectricité dans le HfO2 il y a une dizaine dannées, ce matériau suscite beaucoup dintérêt pour des mémoires ultra faible consommation; plus récemment encore, des résultats préliminaires de jonction tunnel ferroélectriques ont été démonstrés avec ce type de matériau scalable et compatible CMOS. Travail demandé : […] >>