Des nanofils pour rattraper 6 % d’écart de paramètre de maille

Impossible a priori de faire croître des hétérostructures d’arséniure d’indium (InAs) et d’arséniure de gallium (GaAs) : l’écart de paramètre de maille est de 6%. Pourtant, une équipe mixte INAC – Institut Néel a relevé ce défi en faisant pousser des nanofils par le mécanisme vapeur liquide solide. Les atomes d’indium et d’arsenic vaporisés migrent dans une nanogoutte d’or liquide située à l’extrémité d’un nanofil de GaAs, puis en ressortent sous forme de cristal du même diamètre sur le GaAs.
La structure ne présente aucune dislocation aux interfaces quand le diamètre de la nanogoutte d’or est inférieur à 40 nm. Les chercheurs travaillent désormais sur la croissance de GaAs sur InAs. Ils réaliseraient ainsi des boites quantiques intégrées dans des nanofils, positionnées sur demande, pour de nouveaux émetteurs photoniques.

Contact : moira.hocevar@neel.cnrs.fr

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