Actualités : Opto-électronique
19 septembre 2016
Fabrication et caractérisation de source optique III-V épitaxiée sur Silicium
La demande croissante de performances en terme de transmission de données que ce soit pour des liaisons à grande distance ou des interconnexions inter puce ou intra puce est un défi majeur pour les industries de la microélectronique et des télécommunications. Basées sur les transmissions optiques dans la gamme IR, le domaine des télécoms a […] >>