Actualités : Physique de l'état condensé, chimie et nanosciences

26 août 2022

Dispositifs photoniques IV-IV à déformation pilotable : application à l’émission et la détection de lumière

La déformation de la maille cristalline d’un semi-conducteur est un outil très puissant permettant de contrôler de nombreuses propriétés telles que sa longueur d’onde d’émission, sa mobilité … Un enjeu de premier plan est de pouvoir générer cette déformation dans des gammes importantes (multi%), et de manière réversible et contrôlée. L’amplification locale de la déformation […] >>

18 janvier 2022

Postdoctorat sur la modélisation des qubits de spin

Un post-doctorat est ouvert à l’Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG) du CEA Grenoble (France) sur la théorie et la modélisation des bits quantiques de spin silicium (qubits). Le projet débutera début 2022, pour une durée maximale de deux ans. Les technologies de l’information quantique sur silicium ont suscité un intérêt croissant ces dernières […] >>

15 décembre 2020

Développement des techniques de Microscopie à Force Atomique pour la caractérisation de matériaux piézo-électriques semi-conducteurs – Applications en conversion d’énergie

Description du projet : Les nanofils (NF) piézo-électriques semi-conducteurs (GaN et ZnO entre autres) présentent des propriétés piézoélectriques améliorées par rapport aux couches minces et au matériau massif, du fait de leur plus grande flexibilité et de leur sensibilité à des forces plus faibles. Une amélioration intrinsèque des coefficients piézoélectriques a également été identifiée par […] >>

20 novembre 2020

Résonateurs optiques verticaux pour le contrôle de l’émission de lumière dans les alliages de GeSn

Les alliages de germanium et d’étain présentent la particularité remarquable pour des semiconducteurs de la colonne IV d’avoir une bande interdite directe, conférant à ces derniers des fonctionnalités optoélectroniques connues pour les familles des composés III V ou II VI, et sont de surcroît intégrables dans des filières CMOS. Un gain optique significatif est démontré […] >>

19 septembre 2016

Simulation atomistique pour procédés de gravure plasma avancés : Application à la gravure ONO des produits mémoires Flash

Utilisée dans les étapes de fabrication des produits mémoires flash, la gravure ONO, diélectrique inter polysilicium, consiste à graver un empilement de couches ultrafines avec une précision nanométrique (ex: un oxyde de 36A avec arrêt sur nitrure, puis un nitrure de 42A avec arrêt sur oxyde, et enfin 40A d’une couche de 100A d’oxyde). Le […] >>
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